第179章 单晶到底怎么造（3k）

第179章 单晶到底怎么造（3k） (第1/2页)

段工重新接过电话，对高振东笑道：“高主任，别的啥也不说了，又麻烦你一次，你放心，我保证，但凡有你们的石墨构件单子，我每次都亲自盯紧。”
　　
　　这倒是个好事，能最大程度的保证单晶炉石墨构件的源头质量。
　　
　　机要通话的资源还是很宝贵的，事情说完，再次互祝新年之后，挂断了通话。
　　
　　对于一些石墨材料制作中的其他问题，碳研院没问，高振东也是没法主动说的，一来，也许他们的选择更优，二来，还有个保密规定在呢，就算是技术顾问也不能随便问对方主动给出的信息之外的话题。
　　
　　看看日历，还有两天就要除夕了。
　　
　　高振东从机要室出来，没有回办公室，而是去了单晶炉试验室。
　　
　　这边的具体事务，是俞允成在负责。
　　
　　有这位科班出身的人在，高振东也很放心，他领先的是思路和原理，具体细节就不见得比俞允成更好了。
　　
　　俞允成负责具体的落地过程，比他更合适。
　　
　　“高主任，区熔法具体一点是个什么回事呢？”
　　
　　听见高振东这個话，俞允成这个在当前已经算是硅单晶制作的专业人士嘴巴张大了，高主任说的这些，相当一部分根本没听说过，就这一句话，就够他琢磨好些年的了。
　　
　　然后高振东就告诉了他为什么一开始不做区熔法：“但是从这两个方法来看，适应范围最广、晶体直径最容易做大、技术更简单的，是直拉法。”
　　
　　区熔法则是把硅棒吊起来，把下端烧化，然后往下拉晶。
　　
　　高振东笑着道：“嗯，俞工，现在情况怎么样？”
　　
　　“高主任，从原理上分析，区熔法比直拉法的材料纯度要高，我们为什么不直接用区熔法搞。”
　　
　　看见高振东过来，俞允成也走了过来，正好他有些积累的问题想问一下：“高主任，过来了？”
　　
　　说到这里，他顺势提出了自己心中的疑问。
　　
　　高振东笑着道：“不止我们现在正在做的直拉法和区熔法，做硅单晶的办法还有很多，比如基座法、片状单晶生长、气相生长、铸锭法、液相外延等等。”
　　
　　高振东点点头：“没错，不过这些方法都有这样那样的问题，总的来说，电子技术上用的半导体材料，在我看来，相当一段时间内最合适的还就是正在搞的直拉法和你说的区熔法。”
　　
　　俞允成情绪也很不错：“还比较顺利，正在一项一项的装，一项一项的调。”
　　
　　这个话一开始他是不太好问的，这涉及到原理路线问题了，看见高振东的单晶炉设计那么完整，一开始问这个话有点全盘推翻的感觉。
　　
　　俞允成对于区熔法有所了解，但是对于区熔法的原理和具体实现方法是不了解的，大概就处于闻名但是但未见面的程度。
　　
　　俞允成听见了有些惊讶：“啊，这样啊，好像是比较难控制。”
　　
　　简单来说，直拉法是把硅在锅里烧化，然后往上拉晶。
　　
　　不愧是搞这个的，一听就明白，高振东笑道：“对，这个方法熔化的硅液主要靠表面张力维持不掉落，所以直径想做大，比直拉法要困难，同时整个拉晶过程的可控性差，容易导致晶体结构缺陷。”
　　
　　高振东干脆把区熔法的原理向俞允成介绍了一遍。
　　
　　“有这么多方法？”他样子有点傻呆呆的。
　　
　　听见高振东肯定了自己的想法，俞允成心里很有几分窃喜。
　　
　　实际上哪怕到了几十年后，半导体用硅单晶的生产方法还是以这两个为主，其中直拉法占了75%左右的产量。
　　
　　俞允成明白了：“嗯，看来选择技术路线不能光靠单一指标，还是要综合考虑的。”
　　
　　高振东笑道：“说对了，对于现在来说，直拉法的缺陷是可以通过设计手段来弥补或者削弱的，比如增加石英内坩埚。而它的好处却是实实在在的，我们不是搞理论研究，理论研究可以只盯着高处，我们搞的是应用研究，还是要看看周围。”
　　
　　俞允成更加明白了：“啊，我还奇怪为什么要多此一举在石墨坩埚内再套一层石英坩埚呢，原来是我没考虑周全。”
　　
　　高振东道：“对于我们现在的需求来说，区熔法的好处实际上是用不怎么上的，但是坏处却是实实在在的存在。而直拉法生产效率高，自动化生产技术难度低，更容易控制掺杂浓度，更容易制备大直径单晶，这些可都是我们现在急需的。”
　　
　　半导体器件用的单晶体，基底的掺杂本来就是常用工序之一，在这一点上，直拉比区熔可就方便多了。
　　
　　

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